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日月光FOCoS-Bridge升級TSV技術(shù),電阻電感大幅下降,性能再提升!

   發(fā)布時(shí)間:2025-05-29 16:31 作者:鐘景軒

日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(ASE)近期公布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新,正式推出了融入硅通孔(TSV)技術(shù)的FOCoS-Bridge高級封裝方案。這一新方案在原有FOCoS-Bridge的基礎(chǔ)上進(jìn)行了顯著升級,旨在通過縮短信號傳輸路徑,提升I/O密度,并優(yōu)化散熱性能,以應(yīng)對當(dāng)前市場對更高帶寬的迫切需求。

FOCoS-Bridge作為日月光VIPack平臺(tái)的關(guān)鍵組成部分,其獨(dú)特之處在于利用嵌入于扇出RDL層中的微小硅橋,實(shí)現(xiàn)了xPU與HBM之間的高效封裝內(nèi)連接。這一設(shè)計(jì)理念與臺(tái)積電的CoWoS-L技術(shù)以及英特爾的EMIB技術(shù)有著異曲同工之妙,均致力于提升芯片間的互聯(lián)效率。

值得注意的是,新推出的FOCoS-Bridge TSV版本,在傳統(tǒng)橫向信號連接的基礎(chǔ)上,引入了TSV橋接芯片,為電力傳輸提供了更為直接的垂直路徑。這一改進(jìn)使得FOCoS-Bridge TSV的電阻降低了72%,電感減少了50%,相較于標(biāo)準(zhǔn)版FOCoS-Bridge,性能有了顯著提升。

日月光研發(fā)部門的負(fù)責(zé)人李德章先生對此表示,隨著高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用的快速發(fā)展,市場對高計(jì)算性能的需求日益增長。日月光FOCoS-Bridge技術(shù)的推出,正是為了滿足這一需求,它能夠?qū)崿F(xiàn)SoC、Chiplets與HBM之間的無縫整合。而通過引入TSV技術(shù),F(xiàn)OCoS-Bridge不僅提升了計(jì)算和能源效率,更將日月光的高級封裝技術(shù)提升到了一個(gè)全新的高度。

 
 
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