鎧俠與南亞科技近日宣布，他們將在即將于美國加州舊金山舉行的2024 IEEE IEDM國際電子器件大會上，展示一項關(guān)于新型內(nèi)存的聯(lián)合研究成果。這一成果名為OCTRAM，是一種創(chuàng)新的極低漏電流內(nèi)存。

據(jù)悉，OCTRAM是全球首款4F2 GAA氧化物半導體通道晶體管DRAM，它采用了IGZO垂直通道晶體管，實現(xiàn)了內(nèi)存能耗的大幅降低。兩家公司合作制造的275Mbit容量OCTRAM陣列，在設(shè)計的電壓范圍內(nèi)運行穩(wěn)定。

OCTRAM的制造流程經(jīng)過優(yōu)化，旨在強化芯片整合架構(gòu)的發(fā)展。這一創(chuàng)新技術(shù)有望應(yīng)用于AI、后5G移動通信系統(tǒng)以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，以滿足設(shè)備對節(jié)能與性能的雙重需求。

這一研究成果的發(fā)布，標志著鎧俠與南亞科技在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。