近日，據(jù)韓媒《時事周刊e》披露，三星電子在3nm工藝制程技術上面臨挑戰(zhàn)。其第一代和第二代3nm工藝，即SF3E-3GAE和SF3-3GAP，目前的良率分別約為60%和20%。
這一良率未能滿足如高通、英偉達等潛在大客戶所期望的70%標準，導致三星在爭奪最尖端制程訂單時，難以與競爭對手臺積電抗衡。此情況對三星在尖端邏輯工藝領域的投資回報產(chǎn)生了直接影響。
三星DS部門內(nèi)部的存儲器、系統(tǒng)LSI及Foundry三大業(yè)務板塊相互關聯(lián)，形成一個復雜的生態(tài)系統(tǒng)。若系統(tǒng)LSI設計的Exynos處理器能由Foundry部門順利制造，將是對其技術實力的有力證明，進而吸引外部客戶采用三星的邏輯代工服務以及先進的封裝解決方案。然而，目前三星未能實現(xiàn)這一自我增強的循環(huán)，致使其半導體業(yè)務整體陷入困境。
面對當前的困境，韓媒預測三星DS部門將在即將到來的集團年度管理層調(diào)整中經(jīng)歷一次高層大換血，三大業(yè)務部門的負責人都有可能被替換。這一調(diào)整預計將在本月內(nèi)進行，比常規(guī)的12月初要早。
今年5月，三星已經(jīng)進行了一次意外的年中DS部總負責人更替，由全永賢接替了慶桂顯的職位。這次高層的變動可能預示著三星正在積極尋求改變，以應對當前半導體市場的挑戰(zhàn)。
