在科技領域的最新突破中，山西爍科晶體有限公司，一家坐落于山西轉型綜改示范區(qū)瀟河新興產業(yè)園區(qū)的前沿企業(yè)，成功研制出全球首款12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同步推出了12英寸N型碳化硅單晶襯底。這一成就標志著爍科晶體在第三代半導體材料研發(fā)領域取得了重大進展。

作為國內碳化硅材料生產和研發(fā)的佼佼者，爍科晶體始終致力于滿足國家重大戰(zhàn)略科技需求，并以市場為導向，深耕前瞻性基礎技術研究。通過不懈的努力，公司在技術創(chuàng)新、產業(yè)規(guī)模以及產業(yè)鏈協(xié)同等方面均取得了顯著成果。近年來，爍科晶體憑借自主創(chuàng)新和自主研發(fā)，成功掌握了碳化硅生長裝備制造技術、高純碳化硅粉料制備工藝，并率先在國內完成了高純半絕緣碳化硅單晶襯底關鍵工藝技術的突破。

在此基礎上，爍科晶體還攻克了大尺寸擴徑工藝和低缺陷N型襯底的生長工藝，建立了從碳化硅粉料制備、單晶生長到晶片加工的完整生產線。此次12英寸碳化硅襯底的成功研制，不僅大幅提升了單片晶圓上可用于芯片制造的面積，還顯著提高了合格芯片的產量。在相同的生產條件下，這一成果有助于降低成本，提高經(jīng)濟效益，為碳化硅材料的廣泛應用開辟了新途徑。

爍科晶體的這一系列成就，不僅展示了其在碳化硅材料研發(fā)領域的深厚實力，也為中國半導體產業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。隨著大尺寸碳化硅單晶襯底技術的不斷成熟和產業(yè)化進程的加速，爍科晶體有望在全球半導體市場中占據(jù)更加重要的位置，推動整個行業(yè)向更高水平發(fā)展。