近日，華為發(fā)布了一款備受矚目的折疊屏手機(jī)PuraX，迅速吸引了行業(yè)的廣泛關(guān)注。尤其引人注意的是，該款手機(jī)拆解后的芯片比預(yù)期要厚出許多，這一變化源于華為Pura X所采用的全新麒麟9020芯片，該芯片首次應(yīng)用了獨(dú)特的一體式封裝工藝。

據(jù)拆解視頻顯示，麒麟9020芯片的封裝方式發(fā)生了顯著變化，從傳統(tǒng)的夾心餅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)镾oC與DRAM的一體化封裝。盡管目前尚不清楚這種一體化封裝是采用了CoWoS、InFO-PoP還是其他技術(shù)，但這一變化無(wú)疑展示了中國(guó)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的又一次突破。國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)、封裝及內(nèi)存制造廠商之間的協(xié)同合作已初見(jiàn)成效。

先進(jìn)封裝技術(shù)在智能手機(jī)中的應(yīng)用并非新鮮事物。蘋(píng)果公司在其iPhone中早已采用了類(lèi)似的封裝技術(shù)，將DRAM垂直堆疊在SoC上方，即臺(tái)積電所開(kāi)發(fā)的PoP技術(shù)。不過(guò)，蘋(píng)果的SoC本身仍然是一個(gè)整體芯片。

PoP（Package on Package）技術(shù)，即層疊封裝技術(shù)，是一種將兩個(gè)或多個(gè)芯片封裝在一起以節(jié)省空間并提升性能的封裝方法。這種技術(shù)常見(jiàn)于移動(dòng)設(shè)備和其他小型電子設(shè)備中。在PoP結(jié)構(gòu)中，一個(gè)芯片被置于另一個(gè)芯片的頂部，形成層疊結(jié)構(gòu)，并通過(guò)焊接或其他連接技術(shù)實(shí)現(xiàn)連接。通常，上層芯片是處理器或存儲(chǔ)器，而下層芯片則是DRAM或其他類(lèi)型的存儲(chǔ)器。

臺(tái)積電在2016年推出的InFO（Integrated Fan-Out）技術(shù)，則是另一種先進(jìn)的封裝技術(shù)。InFO-PoP指的是將InFO封裝技術(shù)與PoP封裝技術(shù)相結(jié)合。InFO技術(shù)通過(guò)將芯片直接放置在基板上，并通過(guò)RDL（Re-distributed Layer，重布線層）實(shí)現(xiàn)芯片與基板的互連，無(wú)需使用引線鍵合。RDL在晶圓表面形成，可以為鍵合墊片重新分配更大的間距，從而允許更多的I/O連接，實(shí)現(xiàn)更緊湊和高效的設(shè)計(jì)。

InFO技術(shù)在蘋(píng)果A10芯片上首次得到應(yīng)用，并衍生出多種技術(shù)應(yīng)用，包括InFO-oS、InFO-LSI、InFO-PoP以及InFO-AiP等。其中，InFO-PoP技術(shù)特別適用于需要同時(shí)集成多個(gè)芯片的應(yīng)用場(chǎng)景，如移動(dòng)設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)更高的集成度和更多的功能。

蘋(píng)果A系列處理器與DRAM多年來(lái)一直采用臺(tái)積電的InFO-PoP封裝技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)將DRAM頂部封裝上的凸塊利用貫穿InFO過(guò)孔（TIV）到達(dá)RDL層，再與邏輯芯片互聯(lián)，從而減小整體芯片尺寸，減少占板面積，同時(shí)確保強(qiáng)大的熱和電氣性能。

InFO-PoP技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于其靈活性和節(jié)省空間的能力。DRAM封裝可以很容易地更換，而且芯片被層疊在一起，可以節(jié)省設(shè)備空間，使其更小更輕。由于芯片之間的連接更短，還可以提高芯片性能并減少延遲。RDL層的使用進(jìn)一步降低了設(shè)計(jì)成本，支持更多的引腳數(shù)量，并提高了元件的可靠性。

隨著智能手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，安卓陣營(yíng)也開(kāi)始角逐先進(jìn)封裝技術(shù)。無(wú)論是出于代工成本的考量，還是PC芯片的IP復(fù)用需求，都需要先進(jìn)封裝的支持。國(guó)內(nèi)手機(jī)芯片廠商也在與下游廠商深度合作開(kāi)發(fā)相關(guān)技術(shù)，以降低成本并提升性能。

然而，蘋(píng)果在硬件設(shè)計(jì)上的追求一直秉持著“精致極簡(jiǎn)”的理念。盡管封裝堆疊技術(shù)能減少芯片面積并降低數(shù)據(jù)傳輸延遲，但PoP技術(shù)也有其局限性。由于內(nèi)存封裝尺寸受到SoC尺寸的限制，這直接影響到I/O引腳的數(shù)量，進(jìn)而限制了數(shù)據(jù)傳輸速率和性能。因此，有消息稱(chēng)蘋(píng)果計(jì)劃在2026年的iPhone 18系列中放棄現(xiàn)有的封裝堆疊內(nèi)存設(shè)計(jì)，轉(zhuǎn)而采用芯片與內(nèi)存分離的架構(gòu)。

這種分離設(shè)計(jì)雖然會(huì)增加內(nèi)存和芯片之間的傳輸路徑，但能夠解鎖更多的I/O引腳，極大地提升數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬。蘋(píng)果正在與三星合作開(kāi)發(fā)下一代LPDDR6內(nèi)存技術(shù)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬將是目前LPDDR5X的2至3倍。這一性能提升對(duì)于日益依賴(lài)本地AI計(jì)算的智能手機(jī)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是個(gè)巨大的利好。

分離設(shè)計(jì)還有助于散熱優(yōu)化。內(nèi)存與SoC物理分離后，每個(gè)組件的散熱效率將得到提升，降低芯片過(guò)熱導(dǎo)致的性能瓶頸。不過(guò)，這并不意味著蘋(píng)果將放棄先進(jìn)封裝技術(shù)，而是可能采取更合適的先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)滿足未來(lái)的需求。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，先進(jìn)封裝技術(shù)將在智能手機(jī)領(lǐng)域發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。無(wú)論是華為、蘋(píng)果還是其他手機(jī)廠商，都在不斷探索和創(chuàng)新，以提供更高效、更可靠的芯片封裝解決方案。