近期，存儲市場再度陷入動蕩，價格波動劇烈，令制造商和消費者均感到不安。在經(jīng)歷了前幾個季度的過山車式波動后，存儲市場本應步入上行周期，然而，一系列不利消息再次傳來，使得存儲價格陷入新的不穩(wěn)定狀態(tài)。
不同產(chǎn)品類別的價格走勢顯示，無論是DDR、SSD、LPDDR還是eMMC，其價格均呈現(xiàn)下降趨勢。例如，DDR4 16Gb 3200和DDR4 8Gb 3200的價格從7月30日至10月8日持續(xù)下滑，這主要歸因于存儲技術的不斷進步和市場競爭的加劇。
具體到最近兩個月，由于PC和消費電子產(chǎn)品的需求低迷，DRAM和NAND的合約價格出現(xiàn)明顯下降。9月底，DDR4 8Gb 1Gx8的合約價相比8月底環(huán)比下跌了17.07%，至1.7美元。同時，TLC NAND閃存晶圓價格也出現(xiàn)下跌，導致MLC和SLC晶圓價格下跌。
10月，DRAM與NAND閃存的價格持續(xù)震蕩。DRAM現(xiàn)貨市場成交量持續(xù)下滑，帶動現(xiàn)貨價格進一步下跌。NAND閃存方面，買家采購意愿不強，加劇了市場供應過剩的局面。
面對這一形勢，存儲廠商紛紛采取應對措施。NAND廠商考慮減少非易失性存儲器的產(chǎn)量，并加大對DRAM生產(chǎn)的投資，特別是人工智能行業(yè)對HBM內(nèi)存的需求正在創(chuàng)下紀錄。DRAM廠商則計劃轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，擴大DDR5的生產(chǎn)。例如，南亞科表示，將在第四季度積極把15%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5，以應對市場需求的變化。
同時，SSD廠商也啟動了降價策略，開始對中低級產(chǎn)品進行甩賣清庫存。市場消息稱，三星移動固態(tài)硬盤也迎來一輪大降價，以緩解庫存壓力。
存儲市場的價格波動主要受供需兩端的影響。上半年，存儲行業(yè)明顯復蘇，主要得益于人工智能熱潮的推動和消費電子的緩慢復蘇。然而，下半年，全球經(jīng)濟形勢的不穩(wěn)定、技術更新?lián)Q代的不確定性以及消費電子行業(yè)實際復蘇情況未及預期等因素，再次打破了存儲市場的穩(wěn)定格局。
短期來看，存儲市場的價格壓力仍將持續(xù)。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，今年第四季度通用DRAM的價格預計將比上一季度上漲0%~5%，但隨著HBM在DRAM市場所占份額的上升，包括HBM在內(nèi)的所有DRAM的平均價格預計將比上一季度上漲8%~13%。然而，通用DRAM價格的增長率預計將停滯不前，原因是經(jīng)濟衰退導致消費需求放緩以及中國存儲器制造商的供應增加。
盡管存儲市場短期內(nèi)面臨挑戰(zhàn)，但長期來看，數(shù)據(jù)存儲行業(yè)的市場規(guī)模正持續(xù)擴大，市場需求也在持續(xù)增長。得益于數(shù)字化、云計算、大數(shù)據(jù)和人工智能等技術的普及和應用，數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)攀升。新技術的發(fā)展也將為數(shù)據(jù)存儲行業(yè)帶來新的增長點。
