隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的變革。這股變革的力量源自對(duì)算力的無盡追求，特別是當(dāng)訓(xùn)練和處理動(dòng)輒千億參數(shù)的大模型成為常態(tài)時(shí)，算力需求的激增已不容忽視。據(jù)IDC預(yù)測(cè)，至2025年，中國(guó)智能算力的規(guī)模將達(dá)到驚人的1037.3 EFLOPS，相較于當(dāng)前水平增長(zhǎng)43%。然而，在算力飆升的背后，一個(gè)老問題——存儲(chǔ)墻，正逐漸成為制約性能提升的瓶頸。

存儲(chǔ)墻問題，即存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能跟不上處理器的速度，導(dǎo)致大量時(shí)間浪費(fèi)在數(shù)據(jù)搬運(yùn)上，能效比大打折扣。為了打破這一瓶頸，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）與先進(jìn)封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為推動(dòng)AI算力革命的關(guān)鍵力量。

HBM技術(shù)通過3D堆疊與硅通孔（TSV）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了帶寬的飛躍式提升。以SK海力士最新推出的HBM3E為例，其單顆容量高達(dá)24GB，帶寬突破1TB/s，相當(dāng)于在極小的空間內(nèi)構(gòu)建起超高速的數(shù)據(jù)通道。這一技術(shù)的突破，不僅依賴于DRAM工藝的進(jìn)步，更離不開2.5D封裝中硅中介層的精密設(shè)計(jì)。臺(tái)積電CoWoS等技術(shù)通過異構(gòu)集成，將CPU、GPU、NPU等芯片整合為“超級(jí)芯片”，進(jìn)一步打破了單芯片面積與功耗的限制。

HBM的需求隨著AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用而爆發(fā)式增長(zhǎng)。從云端服務(wù)、智能制造到金融保險(xiǎn)、智慧醫(yī)療，AI的應(yīng)用場(chǎng)景日益豐富，對(duì)AI服務(wù)器和高端GPU的需求也隨之水漲船高。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023年AI服務(wù)器的出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到近120萬臺(tái)，同比增長(zhǎng)38.4%，至2026年，這一比例將提升至15%。在AI服務(wù)器中，HBM已成為關(guān)鍵標(biāo)配，特別是在訓(xùn)練側(cè)，中高端GPU幾乎全部采用了HBM。

與HBM相輔相成的是先進(jìn)封裝技術(shù)。在摩爾定律逐漸放緩的背景下，通過傳統(tǒng)制程升級(jí)來提高晶體密度的方式已變得性價(jià)比極低。先進(jìn)封裝技術(shù)以提高連接密度、系統(tǒng)集成度和小型化為主要方向，成為提升芯片性能的新路徑。臺(tái)積電CoWoS、英特爾EMIB等技術(shù)通過2.5D/3D封裝，打破了內(nèi)存墻的制約，實(shí)現(xiàn)了芯片間的高效互連。

全球HBM市場(chǎng)呈現(xiàn)出高度集中的態(tài)勢(shì)，SK海力士、三星和美光三大原廠占據(jù)了絕大部分市場(chǎng)份額。為了滿足市場(chǎng)對(duì)HBM的旺盛需求，各大存儲(chǔ)芯片大廠紛紛加大產(chǎn)能擴(kuò)張力度。SK海力士正在擴(kuò)大其在清州工廠的HBM產(chǎn)能，投資額超過20萬億韓元；三星則正在建立HBM4專用生產(chǎn)線，并計(jì)劃興建服務(wù)于HBM內(nèi)存的半導(dǎo)體封裝工廠；美光也在積極建設(shè)HBM測(cè)試與量產(chǎn)線。

先進(jìn)封裝市場(chǎng)的增長(zhǎng)同樣迅猛。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將由2022年的443億美元增長(zhǎng)至2028年的786億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率為10.6%。臺(tái)積電憑借在先進(jìn)制程積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為全球先進(jìn)封裝領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。三星、英特爾、日月光等企業(yè)也在這一領(lǐng)域有著深厚的技術(shù)積累和市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)廠商如長(zhǎng)電科技、通富微電等也在積極布局先進(jìn)封裝技術(shù)，并取得了一定的突破。

先進(jìn)封裝技術(shù)的升級(jí)，不僅帶動(dòng)了半導(dǎo)體設(shè)備及材料需求的持續(xù)增長(zhǎng)，更重構(gòu)了芯片設(shè)計(jì)的范式。通過異構(gòu)集成與微縮互連，芯片間的連接和集成方式得到了優(yōu)化，數(shù)據(jù)傳輸效率和系統(tǒng)性能得到了顯著提升。例如，英偉達(dá)H100 GPU通過臺(tái)積電CoWoS技術(shù)集成了HBM3，帶寬達(dá)到了3TB/s，使得GPU能夠更高效地調(diào)用數(shù)據(jù)，加速了AI計(jì)算過程。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度來看，HBM與先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展也帶動(dòng)了上下游產(chǎn)業(yè)的協(xié)同發(fā)展。上游的半導(dǎo)體設(shè)備和材料企業(yè)需要不斷研發(fā)更先進(jìn)的設(shè)備和材料以滿足工藝要求；中游的芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)通過采用這些技術(shù)推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品；下游的AI應(yīng)用企業(yè)則能夠利用這些高性能的芯片和內(nèi)存開發(fā)出更強(qiáng)大的AI應(yīng)用。

在這場(chǎng)AI算力革命的隱形戰(zhàn)場(chǎng)中，HBM與先進(jìn)封裝技術(shù)無疑是最為關(guān)鍵的力量。它們的發(fā)展不僅將推動(dòng)AI技術(shù)邁向新的高度，更將深刻影響整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局。對(duì)于企業(yè)來說，抓住這一機(jī)遇加大研發(fā)投入提升技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力是在未來科技競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵所在。