近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下簡稱“英諾賽科”）正式拉開其公開招股的大幕，招股活動將在12月18日至23日期間進行。據(jù)悉，該公司計劃全球發(fā)行4536.4萬股H股，其中，香港公開發(fā)售占10%，國際發(fā)售占90%，并設有15%的超額配股權。每股發(fā)售股份的最高定價鎖定在33.66港元，每手交易包含100股股票，預計H股將于12月30日正式掛牌上市，中金公司及招銀國際擔任此次招股的聯(lián)席保薦人。

英諾賽科在招股說明書中透露，此次招股所得款項的約60%將用于擴大其8英寸氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，涵蓋設備購置與升級、人員招聘等多個方面。另有20%的資金將投入到研發(fā)領域，旨在拓展產(chǎn)品線，提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場的占有率。10%的資金將用于擴展氮化鎵產(chǎn)品的全球銷售網(wǎng)絡，剩余10%則用于日常運營及其他企業(yè)用途。

氮化鎵作為第三代半導體的核心材料，因其高頻、耐高壓、抗輻射和高電子遷移率等特性，在消費電子、新能源汽車、可再生能源以及數(shù)據(jù)中心等領域展現(xiàn)出廣闊的應用前景。根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，2023年標志著氮化鎵功率半導體產(chǎn)業(yè)進入爆發(fā)式增長階段，市場將迎來顯著增長。預計到2028年，全球氮化鎵功率半導體市場規(guī)模將達到501億元人民幣，在全球功率半導體市場的份額將提升至10.1%，在全球功率半導體分立器件市場的占比將達到24.9%，為行業(yè)內(nèi)的企業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展機遇。

作為全球氮化鎵領域的佼佼者，英諾賽科擁有兩座8英寸GaN-on-Si晶圓生產(chǎn)基地，是全球產(chǎn)能最大的氮化鎵器件制造商。公司專注于硅基氮化鎵外延與器件的研發(fā)與制造，是全球功率半導體行業(yè)變革的引領者，也是全球第一家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)的IDM企業(yè)。從2021年至2023年，英諾賽科的收入實現(xiàn)了驚人的復合年增長率，高達194.8%。

根據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)，截至2023年底，以氮化鎵分立器件收益計算，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中的市場份額高達33.7%，位居行業(yè)第一。截至2024年6月30日，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓良率已超過95%，突破了每月12,500片晶圓的生產(chǎn)瓶頸，氮化鎵分立器件累計出貨量超過8.5億顆，市場份額遙遙領先，充分展示了其在氮化鎵領域的領導地位。

隨著全球氮化鎵功率半導體市場的快速增長，英諾賽科此次赴港上市將進一步提升其國際知名度和影響力。在資本市場的助力下，公司將加速全球布局，推動技術創(chuàng)新，擴大產(chǎn)能規(guī)模，優(yōu)化產(chǎn)品結構，以更加卓越的產(chǎn)品和服務滿足市場需求，持續(xù)引領氮化鎵行業(yè)的高質量發(fā)展。