近日，韓國媒體hankooki發(fā)布了一則關(guān)于三星電子與英偉達合作的最新動態(tài)。據(jù)報道，三星電子在供應(yīng)8層與12層堆疊的HBM3E內(nèi)存樣品給英偉達時遇到了阻礙，原因是這些樣品的性能未能滿足英偉達的標準。因此，原計劃在年內(nèi)啟動的供貨計劃被推遲至2025年。

據(jù)悉，三星電子自2023年10月起就開始向英偉達提供HBM3E內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品，然而經(jīng)過一年多的時間，三星在這款內(nèi)存的認證流程上并未取得顯著進展。這一消息無疑給期待雙方合作的業(yè)界人士帶來了不小的失望。

業(yè)內(nèi)消息人士透露，SK海力士在HBM3E內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，實際上已經(jīng)為這一類型的利基內(nèi)存設(shè)定了性能參數(shù)標準。相比之下，三星電子的HBM3E在發(fā)熱和功耗等關(guān)鍵性能參數(shù)上未能達到英偉達的要求，這是導致三星供貨計劃推遲的主要原因。

值得注意的是，盡管三星電子與SK海力士在HBM3E內(nèi)存的鍵合工藝上有所不同——SK海力士采用的是批量回流模制底部填充MR-RUF鍵合技術(shù)，而三星電子則使用的是TC-NCF熱壓非導電薄膜技術(shù)——但這并非三星電子未能獲得英偉達供應(yīng)許可的決定性因素。

這一事件也再次凸顯了半導體行業(yè)中技術(shù)領(lǐng)先和性能標準的重要性。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，客戶對于產(chǎn)品的性能要求也越來越高，供應(yīng)商必須不斷提升自身技術(shù)實力，以滿足市場需求。

對于三星電子而言，這次供貨計劃的推遲無疑是一次挫折，但同時也為其提供了一個反思和提升的機會。未來，三星電子將需要更加專注于技術(shù)研發(fā)和性能優(yōu)化，以確保其產(chǎn)品在市場上具有更強的競爭力。

而英偉達方面，雖然短期內(nèi)可能會受到供貨延遲的影響，但長期來看，其對產(chǎn)品性能的高要求將有助于推動整個半導體行業(yè)的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級。

這一事件也提醒了業(yè)界人士，半導體行業(yè)的合作并非一帆風順，供應(yīng)商和客戶之間需要建立更加緊密和有效的溝通機制，以確保合作的順利進行。

最后，隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展和市場需求的不斷變化，未來還將有更多類似的挑戰(zhàn)和機遇等待著半導體行業(yè)的企業(yè)和從業(yè)者。