在近日舉辦的2025 Intel Foundry Direct Connect大會(huì)上，英特爾詳細(xì)披露了其2.5D橋接先進(jìn)封裝技術(shù)EMIB的最新進(jìn)展，這些信息通過英特爾的官方演講和德國知名硬件媒體Hardwareluxx編輯Andreas Schilling拍攝的現(xiàn)場(chǎng)圖片得以廣泛傳播。

活動(dòng)中，英特爾首次公開了EMIB技術(shù)的新變種——EMIB-T。這里的“T”代表著硅通孔（TSV）技術(shù)，顯示了英特爾在封裝技術(shù)上的進(jìn)一步創(chuàng)新。同時(shí)，英特爾還介紹了采用RDL重布線層和Bridge橋片的Foveros-R與Foveros-B封裝技術(shù)，為芯片封裝提供了更多選擇。

EMIB-T技術(shù)特別針對(duì)HBM4和UCIe芯片集成進(jìn)行了優(yōu)化，通過TSV和M Bridge技術(shù)在基板中構(gòu)建了垂直電力通道，有效避免了傳統(tǒng)方案中的“繞路”問題。這一改進(jìn)不僅降低了直流和交流電噪聲，還顯著提升了信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，為高性能計(jì)算領(lǐng)域帶來了福音。

英特爾強(qiáng)調(diào)，EMIB-T技術(shù)能夠支持從其他2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)的平滑遷移，且無需進(jìn)行重大的重新設(shè)計(jì)，這對(duì)于希望在現(xiàn)有基礎(chǔ)上升級(jí)封裝技術(shù)的廠商來說無疑是個(gè)好消息。

展望未來，英特爾透露了EMIB技術(shù)的宏偉藍(lán)圖。到2026年，通過超過20個(gè)EMIB橋的連接，將能夠?qū)崿F(xiàn)約120mm×120mm的總封裝尺寸，集成多達(dá)12個(gè)HBM內(nèi)存堆棧。而到了2028年，封裝尺寸將進(jìn)一步擴(kuò)大至120mm×180mm，HBM數(shù)量也將突破24個(gè)，展現(xiàn)出英特爾在封裝技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和前瞻布局。