在即將召開的國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星電子將揭開其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面紗。這款NAND Flash采用了超過400層的堆疊技術(shù)，數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5.6 GT/s，標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。

據(jù)悉，這款V-NAND Flash依然沿用了TLC（三級(jí)單元）架構(gòu)，每個(gè)單元的存儲(chǔ)能力達(dá)到3位，而單個(gè)芯片的存儲(chǔ)容量則達(dá)到了驚人的1Tb（即128GB）。三星方面表示，這款超400層3D TLC NAND Flash的存儲(chǔ)密度高達(dá)28 Gb/mm2，盡管略低于其目前存儲(chǔ)密度最高的1Tb 3D QLC V-NAND（28.5 Gb/mm2），但仍處于行業(yè)領(lǐng)先地位。

在接口速度方面，三星第10代V-NAND的表現(xiàn)尤為搶眼。其5.6 GT/s的接口速度不僅遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品，如長江存儲(chǔ)的3.6 GT/s，更在數(shù)據(jù)傳輸速率上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。在如此高速的接口支持下，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)約700 MB/s，這意味著僅需10個(gè)這樣的設(shè)備，就能使PCIe4.0 x4接口達(dá)到飽和狀態(tài)；而如果使用20個(gè)設(shè)備，則足以讓PCIe5.0 x4這一超高速接口也滿載運(yùn)行。

據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃在ISSCC 10大會(huì)上正式推出這款第10代V-NAND?？紤]到三星在新技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)方面的快速推進(jìn)能力，業(yè)界普遍預(yù)計(jì)這款NAND Flash有望在明年正式投入批量生產(chǎn)。然而，關(guān)于這款新技術(shù)何時(shí)會(huì)應(yīng)用到三星自家的SSD產(chǎn)品中，目前尚無確切消息。

無論如何，三星第10代V-NAND的推出無疑將進(jìn)一步提升三星在存儲(chǔ)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。隨著數(shù)據(jù)量的不斷增長和存儲(chǔ)需求的日益多樣化，高性能、高密度的存儲(chǔ)解決方案正成為市場(chǎng)的迫切需求。三星此次推出的超400層3D TLC NAND Flash，無疑為市場(chǎng)提供了更多的選擇和可能性。