英諾賽科科技成功登陸港交所，引領氮化鎵半導體新時代。近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（股票代碼02577.HK）在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市，標志著這家氮化鎵功率半導體領域的佼佼者正式邁入資本市場。

此次上市，英諾賽科全球發(fā)售4536.4萬股H股，發(fā)行價定為每股30.86港元。上市首日，其股價便展現(xiàn)出強勁勢頭，午盤前一度飆升至每股34港元，彰顯出市場對英諾賽科的熱烈期待。

英諾賽科作為氮化鎵半導體技術的領航者，其成就令人矚目。氮化鎵作為第三代半導體材料的杰出代表，憑借高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及強抗輻射能力等特性，相較于傳統(tǒng)硅基器件，傳導電子效率可高出千倍，成為半導體行業(yè)的璀璨新星。

隨著新能源汽車、光伏及儲能等領域的蓬勃發(fā)展，對半導體材料的轉(zhuǎn)化效率及成本控制提出了更高要求。氮化鎵以其高效能與卓越性能，成為國內(nèi)外巨頭競相追逐的焦點。英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，同時也是唯一具備全電壓譜系硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)規(guī)模供應的公司，其行業(yè)地位不言而喻。

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料顯示，以2023年收入計算，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體企業(yè)中獨占鰲頭。其營業(yè)收入在近幾年實現(xiàn)了爆發(fā)式增長，從2021年的0.68億元躍升至2023年的5.93億元，復合年增長率高達194.8%。海外市場的收入亦持續(xù)攀升，展現(xiàn)出英諾賽科全球化布局的顯著成效。

英諾賽科不僅業(yè)務增長迅猛，其盈利狀況亦逐漸向好。從2021年至2024年上半年，公司的凈虧損正逐步收窄。深入分析發(fā)現(xiàn)，英諾賽科的凈虧損并非源自其核心產(chǎn)品氮化鎵的問題，而是受到股權融資負債賬面值變動及股權激勵計劃開支等非經(jīng)營性因素的影響。

此次上市，英諾賽科計劃將募資所得款項的約60%用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能，從每月12,500片晶圓增加至每月70,000片晶圓；約20%用于研發(fā)及擴大產(chǎn)品組合；約10%用于擴展全球分銷網(wǎng)絡。這一戰(zhàn)略布局旨在進一步提升英諾賽科在全球氮化鎵市場的競爭力。

技術驅(qū)動是英諾賽科成功的關鍵。自成立以來，公司始終致力于技術創(chuàng)新，僅在2021年至2024年上半年，就在氮化鎵產(chǎn)品及技術研發(fā)上投入超過17億元。英諾賽科在蘇州建立了全球研發(fā)中心，并在全球范圍內(nèi)擁有406項專利及387項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓制造等關鍵領域。

英諾賽科的技術領先地位和商業(yè)化能力得到了市場的廣泛認可。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，2023年，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中以42.4%的市場份額排名第一，累計出貨量超過8.5億顆氮化鎵分立器件。這一成績進一步鞏固了英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體市場的領導地位。

在上市前夕，英諾賽科更是吸引了眾多知名機構和半導體龍頭的青睞。意法半導體、江蘇國企混改基金、蘇州高端裝備及東方創(chuàng)聯(lián)等成為公司的基石投資者，用實際行動表達了對英諾賽科及氮化鎵未來發(fā)展的信心。半導體知名公司矽力杰也選擇在上市前戰(zhàn)略入股英諾賽科，雙方將共同探索未來技術發(fā)展的廣闊空間。