在近期于日本東京盛大舉行的2025年IEEE VLSI研討會(huì)上，一家全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)企業(yè)揭開(kāi)了其DRAM技術(shù)未來(lái)三十年的宏偉藍(lán)圖與創(chuàng)新戰(zhàn)略。

該企業(yè)的首席技術(shù)官在會(huì)上發(fā)表演講，詳細(xì)闡述了面對(duì)當(dāng)前DRAM性能與容量提升的技術(shù)瓶頸，公司正積極謀劃將前沿的4F2 VG平臺(tái)與3D DRAM技術(shù)深度融合，應(yīng)用于10納米及以下制程的內(nèi)存產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中。這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高集成度、更快運(yùn)行速度及更低能耗的道路上邁出了重要一步。

4F2 VG技術(shù)通過(guò)革新性地將傳統(tǒng)DRAM的平面柵極結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪迸帕校@著降低了每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元所占用的芯片面積，從而在提升存儲(chǔ)密度的同時(shí)，確保了產(chǎn)品性能的提升。尤為該技術(shù)還將借鑒NAND閃存中的混合鍵合工藝，為DRAM產(chǎn)品的創(chuàng)新設(shè)計(jì)開(kāi)辟了新的路徑。

針對(duì)業(yè)界普遍擔(dān)憂的3D DRAM層數(shù)增加可能帶來(lái)的成本上升問(wèn)題，該企業(yè)技術(shù)負(fù)責(zé)人表示，公司正致力于通過(guò)持續(xù)的技術(shù)革新與突破，逐步解決這一難題。他強(qiáng)調(diào)，技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵動(dòng)力，也是克服成本挑戰(zhàn)、實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)的重要途徑。

在演講中，這位技術(shù)負(fù)責(zé)人還分享了公司在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇以及元件配置等方面的深入探索與革新成果。他表示，這些創(chuàng)新舉措將為DRAM產(chǎn)品的未來(lái)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，并推動(dòng)整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)邁向新的高度。