近期，韓國媒體《Chosun Biz》報道了一則關(guān)于三星電子的重要進展。據(jù)悉，三星的DS部門內(nèi)存業(yè)務(wù)已成功完成了HBM4內(nèi)存邏輯芯片的設(shè)計工作。與此同時，該公司的Foundry業(yè)務(wù)部也已依據(jù)這一設(shè)計，利用4nm制程技術(shù)啟動了試生產(chǎn)流程。

在邏輯芯片完成最終的性能驗證后，三星電子計劃將這款自主研發(fā)的HBM4內(nèi)存樣品提供給客戶。這一舉措標志著三星在高端內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破。

邏輯芯片，被譽為HBM內(nèi)存堆棧中的“大腦”，負責控制上方的多層DRAM Die。在HBM4時代，由于內(nèi)存堆棧I/O引腳數(shù)量的增加以及功能的集成需求，業(yè)界三大內(nèi)存原廠紛紛選擇采用邏輯半導體代工來制造邏輯芯片。這一趨勢反映了HBM4技術(shù)的復雜性和對先進制程的依賴。

業(yè)內(nèi)專家指出，發(fā)熱問題是HBM內(nèi)存面臨的主要挑戰(zhàn)，而邏輯芯片作為堆棧中的發(fā)熱大戶，其制程技術(shù)的改進對于提升HBM4的能效和性能至關(guān)重要。三星電子通過采用先進的4nm制程技術(shù)來制造邏輯芯片，旨在有效應對這一挑戰(zhàn)。

為了挽回在HBM3 (E)世代因質(zhì)量問題而失去的市場份額，三星電子在HBM4的開發(fā)上采取了更為激進的技術(shù)策略。除了使用自家的4nm工藝制造邏輯芯片外，三星還計劃在HBM4上引入1c nm制程的DRAM Die，并有望在16Hi堆棧中采用無凸塊的混合鍵合技術(shù)。這些創(chuàng)新舉措有望進一步提升HBM4的性能和可靠性。