近期，據韓國媒體ETNews報道，三星電子針對其12nm級別DRAM內存產品遇到的良率及性能挑戰(zhàn)，已經制定了應對策略。報道透露，三星在2024年末決定在優(yōu)化當前1b nm工藝的基礎上，重新設計一款全新的1b nm DRAM。

這款新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P（P代表Prime），其重點在于提升能效和散熱性能。值得注意的是，這一命名邏輯與三星之前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P保持一致。

三星電子此前曾宣布，在2022年12月和2023年5月，其12nm級別的DDR5 DRAM已經完成了開發(fā)與批量生產。然而，這一代工藝并未能在LPDDR5x等關鍵領域取得預期的成功。甚至因此，三星的設備解決方案（DS）部門失去了為移動體驗（MX）部門的Galaxy S25系列手機初期供應內存的首要地位。

在決定啟動D1B-P項目時，三星電子的12nm級別DRAM工藝的良率僅為60%左右，遠低于業(yè)界普遍認為的大規(guī)模量產所需的80%至90%的良率水平。

為了應對這一挑戰(zhàn)，三星在2024年底緊急訂購了D1B-P項目所需的設備。據預計，這一新版制程有望在2025年內實現量產，而最早的產品推出時間可能會在今年第二季度至第三季度之間。