在人工智能（AI）時代的大潮中，數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載的需求正以前所未有的速度激增，給現(xiàn)代服務(wù)器帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。如何確保計算能力與內(nèi)存帶寬的完美匹配，成為了業(yè)界亟待攻克的核心難題。AI、高性能計算（HPC）以及實時分析等前沿領(lǐng)域，對內(nèi)存子系統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸速度提出了極為苛刻的要求，任何微小的延遲都可能導(dǎo)致整體性能的嚴(yán)重下滑。

面對這一挑戰(zhàn)，一種名為MRDIMM（多路復(fù)用寄存雙列直插內(nèi)存模塊）的新型內(nèi)存技術(shù)橫空出世，迅速在行業(yè)內(nèi)掀起了波瀾。這項技術(shù)能否成為AI存儲產(chǎn)業(yè)的下一個明星產(chǎn)品？它又將如何重塑內(nèi)存市場的格局？

MRDIMM的誕生并非偶然，其根源可以追溯到DDR4時代的LRDIMM（減載雙列直插內(nèi)存模塊）。LRDIMM的設(shè)計初衷在于減輕服務(wù)器內(nèi)存總線的負(fù)載，同時提升內(nèi)存的工作頻率與容量。與傳統(tǒng)的RDIMM（寄存雙列直插內(nèi)存模塊）相比，LRDIMM創(chuàng)新性地引入了數(shù)據(jù)緩沖器（DB）功能，這一設(shè)計不僅降低了主板上的信號負(fù)載，還為更大容量的內(nèi)存顆粒創(chuàng)造了條件，從而大幅提升了系統(tǒng)內(nèi)存容量。

在DDR4時代，經(jīng)過多輪討論，由中國瀾起科技公司提出的“1+9”方案（1顆RCD+9顆DB）最終脫穎而出，成為了DDR4 LRDIMM的國際標(biāo)準(zhǔn)。這一成就不僅彰顯了瀾起科技強(qiáng)大的研發(fā)實力，更為其在JEDEC董事會中贏得了寶貴的一席之地，進(jìn)一步提升了行業(yè)話語權(quán)。進(jìn)入DDR5時代，LRDIMM架構(gòu)演變?yōu)椤?+10”，但隨著DDR5內(nèi)存模組容量的大幅增加，其性價比優(yōu)勢逐漸減弱。正是在這樣的背景下，MRDIMM應(yīng)運而生。

MRDIMM沿用了與LRDIMM類似的“1+10”技術(shù)架構(gòu)，即搭配1顆多路復(fù)用寄存時鐘驅(qū)動器（MRCD）芯片和10顆多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB）芯片。這一設(shè)計使得MRDIMM能夠?qū)崿F(xiàn)更高的內(nèi)存帶寬，完美滿足了現(xiàn)代服務(wù)器對內(nèi)存帶寬日益增長的需求。通過同時操作兩個內(nèi)存通道，MRDIMM提供了比標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DIMM更高的數(shù)據(jù)吞吐量。例如，將兩個速度為4400MT/s的DDR5 DIMM組合，MRDIMM的輸出結(jié)果可達(dá)8800MT/s。目前，第一代MRDIMM的速度已達(dá)8800MT/s，第二代更是達(dá)到了12800MT/s。

在CPU核心數(shù)量和速度不斷提升的背景下，內(nèi)存必須以更快的速度提供數(shù)據(jù)。MRDIMM的出現(xiàn)，無疑為這一難題提供了有效的解決方案。它不僅大幅提升了數(shù)據(jù)傳輸速度，還為面向未來的服務(wù)器設(shè)計提供了有力支持，助力其滿足高性能計算的需求。高尺寸（TFF）MRDIMM還具有獨特優(yōu)勢，它無需增加物理插槽就能擴(kuò)充內(nèi)存容量，這類模塊更高，可容納更多內(nèi)存芯片，但僅適用于2U或更大尺寸的服務(wù)器設(shè)計。

近年來，服務(wù)器CPU技術(shù)發(fā)展迅速，核心數(shù)呈指數(shù)級增長。與此同時，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器內(nèi)存對速度和容量的要求也每年以超過10倍的速度飆升。然而，“內(nèi)存墻”的存在卻成為了制約系統(tǒng)性能提升的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)內(nèi)存RDIMM傳輸帶寬的增長緩慢，遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上CPU核心數(shù)量增加的速度。這也正是AMD和英特爾在主流處理器上轉(zhuǎn)向DDR5內(nèi)存的重要原因之一。

在美光和英特爾的聯(lián)合測試中，MRDIMM展現(xiàn)出了卓越的性能。在內(nèi)存容量相同的情況下，MRDIMM的運算效率相比RDIMM提高了1.2倍；使用容量翻倍的TFF MRDIMM時，運算效率更是提高了1.7倍，內(nèi)存與存儲之間的數(shù)據(jù)遷移減少了10倍。在AI推理方面，MRDIMM同樣表現(xiàn)出色。以運行meta Llama 3 8B大模型為例，在內(nèi)存容量相同的條件下，使用MRDIMM后，詞元的吞吐量是RDIMM的1.31倍，延遲降低24%，CPU利用效率提升26%。

鑒于MRDIMM的出色表現(xiàn)，處理器和存儲設(shè)備巨頭紛紛開始布局相關(guān)產(chǎn)品。英特爾推出了專為高性能計算和AI等計算密集型工作負(fù)載設(shè)計的至強(qiáng)6性能核處理器，最高配備128個性能核，并首次支持MRDIMM內(nèi)存條。AMD也不甘落后，其下一代“Zen 6”架構(gòu)的EPYC霄龍系列服務(wù)器處理器將遷移到新的SP7和SP8平臺，并首次支持MRDIMM內(nèi)存條。美光、Rambus、瑞薩電子等存儲巨頭也紛紛推出了面向MRDIMM的內(nèi)存產(chǎn)品和芯片組解決方案。

在國內(nèi)，瀾起科技等企業(yè)也在積極布局MRDIMM技術(shù)。經(jīng)過前期的戰(zhàn)略布局和持續(xù)的研發(fā)投入，瀾起科技已完成時鐘發(fā)生器芯片量產(chǎn)版本研發(fā)，并成為全球兩家可提供第一子代MRCD/MDB芯片的供應(yīng)商之一。其MRDIMM產(chǎn)品已開始在行業(yè)規(guī)模試用，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場競爭力。

隨著AI產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，DDR5內(nèi)存接口芯片的需求和滲透率大幅提升。支持MRDIMM的服務(wù)器CPU的上市，將進(jìn)一步推動MRDIMM在高性能計算、人工智能等應(yīng)用領(lǐng)域的普及。未來，MRDIMM有望成為這些領(lǐng)域的主流內(nèi)存解決方案之一。

值得注意的是，盡管MRDIMM性能卓越，但HBM（高帶寬內(nèi)存）等其他內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。未來，這兩項技術(shù)有望在AI和高性能計算領(lǐng)域并存，共同推動內(nèi)存市場的革新。它們各自具有獨特的應(yīng)用場景和市場空間，將共同受益于AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。