波蘭知名存儲模組品牌Goodram，通過其旗下子品牌IRDM，宣布推出一款全新的固態(tài)硬盤——IRDM PRO GEN 5。這款固態(tài)硬盤以其對PCIe 5.0規(guī)范的支持而備受矚目。

IRDM PRO GEN 5固態(tài)硬盤采用M.2 2280的外形規(guī)格，并符合最新的NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn)。它基于高效的群聯(lián)PS5026-E26主控，并配備了未公布具體型號的3D TLC NAND閃存技術(shù)。該固態(tài)硬盤還通過外置DRAM緩存來進一步提升性能，提供1TB、2TB和4TB三種不同的存儲容量選項，以滿足不同用戶的需求。

在性能方面，IRDM PRO GEN 5展現(xiàn)出令人印象深刻的實力。根據(jù)官方數(shù)據(jù)，該固態(tài)硬盤的順序讀取速度可達11500至12000MB/s，而順序?qū)懭胨俣葎t介于9000至11000MB/s之間。同時，其隨機讀取和寫入性能也相當(dāng)出色，分別可達130K至140K IOPS和穩(wěn)定的140K IOPS。這些性能指標(biāo)不僅證明了IRDM PRO GEN 5在高速數(shù)據(jù)傳輸方面的優(yōu)勢，還顯示出它在處理大量隨機讀寫請求時的卓越能力。

盡管IRDM PRO GEN 5并非全速PCIe 5.0×4 SSD，但其性能仍然達到了12GB/s的級別，相較于PCIe 4.0固態(tài)硬盤，在隨機性能方面提升了約40%。這一顯著提升將為專業(yè)用戶和高性能計算環(huán)境帶來更為流暢和高效的存儲體驗。

為了確保固態(tài)硬盤的穩(wěn)定運行和持久耐用，Goodram為IRDM PRO GEN 5提供了長達5年的質(zhì)保服務(wù)。該產(chǎn)品還采用了創(chuàng)新的Graphreeze冷卻技術(shù)，通過在核心芯片上覆蓋由雙層石墨烯涂層構(gòu)成的超薄散熱片，有效提升了散熱性能。這種設(shè)計不僅保證了固態(tài)硬盤在高負(fù)載運行時的穩(wěn)定性，還與外部散熱器完全兼容，進一步增強了散熱效果。